在半导体制程技术的竞赛中，2纳米制程成为各大厂商争夺的下一个重要里程碑。 台积电（TSMC）正在积极研发2纳米制程，于2024年开始试产，并计划于2025年实现量产。 台积电将在2纳米节点引入GAA（环绕栅极）纳米片晶体管技术，这是从传统的FinFET转向新一代晶体管架构的重大转变。 台积电也计划兴建2纳米晶圆厂，以满足未来的生产需求。
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台积电在制程技术上一直保持领先，拥有稳定的制造流程和广泛的客户基础。 与苹果、AMD、高通等大客户的紧密合作，使其在市场上具有强大的影响力。 且需面对来自三星和英特尔在GAA技术上的竞争，加速技术研发和量产进度更为重要。
三星电子（Samsung Electronics）三星计划于2025年开始量产2纳米制程，并在2027年推进至1.4纳米。 技术采用MBCFET（多桥通道FET）技术，这是三星对GAA晶体管的独特实现方式，利用纳米片以垂直方式堆叠，提升性能和能效。 三星已于2022年成功量产3纳米GAA制程，为2纳米技术的开发积累了宝贵经验。 率先在3纳米节点引入GAA技术，展示了其在先进制程上的创新能力。 除自家产品外，积极争取高通、NVIDIA等客户，试图扩大晶圆代工市场份额。 然而三星还需克服在制程良率和产能上的问题。
英特尔（Intel）于2024年推出Intel 20A制程（相当于2纳米），随后在2025年进入Intel 18A制程。 技术上导入RibbonFET（英特尔版的GAA晶体管）和PowerVia（背面供电技术），希望在性能和功耗上实现突破。 RibbonFET和PowerVia的结合，有望在晶体管结构和供电方式上带来革命性变化。 另透过晶圆代工服务，试图重新夺回市场份额，与台积电和三星直接竞争。 只是过去面临制程延迟的问题，市场对其能否按时实现2纳米技术仍存疑问。
三大厂商均从FinFET（鳍式场效应晶体管）转向GAA架构，以克服缩微制程带来的物理极限。 台积电奈米片GAA，关注纳米片宽度的调节，达到性能与功耗的最佳平衡。 三星MBCFET，采用垂直堆叠纳米片，提高通道数量和电流驱动能力。 英特尔的RibbonFET，利用细长的“丝带”状通道，搭配PowerVia背面供电，减少干扰和寄生效应。
台积电依靠与顶级IC设计公司的长期合作，巩固市场领导地位。 三星一方面为自家产品供应芯片，另一方面积极拓展代工业务。 英特尔则开放制造业务，试图吸引更多客户，建立新的合作生态。
2纳米制程的技术难度和成本均大幅提升，需要克服新材料、新结构带来的制造难题。 且如何在大规模生产中保持高良率，直接影响市场供应和盈利能力。 2纳米制程的竞赛，不仅仅是制造技术的较量，更是整个产业链的综合比拼。 随着制程进一步缩微，未来可能引入更多的新材料（如2D材料）、新元件结构（如隧穿场效应晶体管）等。 另外包括EDA工具、IP核心、设计方法学需要同步升级，以支持先进制程的设计需求。 而各国政府对半导体产业的支持和政策导向，也将对市场格局产生深远影响。
在这场2纳米制程的竞赛中，台积电目前处于领先地位，但竞争对手也在积极追赶。 未来的技术突破、制程良率的提升以及市场策略的成功与否，都将影响竞争格局的演变。
